Dissertação
{en_GB=Pre-deposited heavily P doped a-Si:H as Dopant Source in n+/p Junctions for Photovoltaic Applications} {} EVALUATED
{pt=A principal desvantagem do silício cristalino face a outras tecnologias de células solares é o seu custo de produção. Neste trabalho um novo método de produção de junções pn de silício cristalíno é aperfeiçoado. Este método vem substituír dois procedimentos do método convencional executados a altas temperaturas. A principal inovação é o uso de silício amorfo hidrogenado altamente dopado com fósforo como fonte de dopante. O silício amorfo é depositado por PECVD a baixa temperatura ( 70ºC) numa bolacha de silício cristalino ligeiramente dopada com boro, um aumento da temperatura permite que o dopante contido no silício amorfo difunda para o silício cristalino. Um estudo com foco na concentração superficíal de dopante e na profundidade de junção originou resultados interessantes. A performance das junções foi melhorada através da optimização dos seus contactos metálicos., en=The c-Si main liability, in respect to the other solar cell technologies, relies on its production cost. In this work a novel method for producing c-Si pn homojunctions, which replaces two steps at high temperatures from the conventional method, was improved for photovoltaic applications. The innovation is an heavily P-doped hydrogenated amorphous silicion (a-Si:H) thin film used as dopant source. The a-Si:H is deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) at low temperature (70 ◦C) on a lightly doped p-type c-Si wafer. Increasing the temperature allows the dopant contained in the amorphous silicon to diffuse to the c-Si, the so-called ”drive-in”. Interesting results were achieved with a study that focused on the superficial dopant concentration and the homojunction depth. Moreover, a better performance of these c-Si homojunctions was accomplished by optimization of their metal contacts.}
novembro 13, 2018, 14:0
Publicação
Obra sujeita a Direitos de Autor
Orientação
