Dissertação

Pre-deposited heavily P doped a-Si:H as Dopant Source in n+/p Junctions for Photovoltaic Applications EVALUATED

A principal desvantagem do silício cristalino face a outras tecnologias de células solares é o seu custo de produção. Neste trabalho um novo método de produção de junções pn de silício cristalíno é aperfeiçoado. Este método vem substituír dois procedimentos do método convencional executados a altas temperaturas. A principal inovação é o uso de silício amorfo hidrogenado altamente dopado com fósforo como fonte de dopante. O silício amorfo é depositado por PECVD a baixa temperatura ( 70ºC) numa bolacha de silício cristalino ligeiramente dopada com boro, um aumento da temperatura permite que o dopante contido no silício amorfo difunda para o silício cristalino. Um estudo com foco na concentração superficíal de dopante e na profundidade de junção originou resultados interessantes. A performance das junções foi melhorada através da optimização dos seus contactos metálicos.
Célula Solar, Junção PN, PECVD, Silício, Profundidade de Junção

Novembro 13, 2018, 14:0

Publicação

Obra sujeita a Direitos de Autor

Orientação

ORIENTADOR

Ana Maria Heleno Branquinho de Amaral

Departamento de Física (DF)

Professor Auxiliar

ORIENTADOR

Guilherme António Rodrigues Lavareda

FCT, Univ. Nova de Lisboa

Professor Auxiliar