Dissertação

Heterojunction diodes including ZnO thin films EVALUATED

Este projeto de dissertação consiste na caraterização de dois tipos de semiconductores e na sua junção como díodo. Os materiais são Óxido de Zinco (ZnO) e Nitreto de Gálio (GaN). O ZnO é produzido no nosso laboratório por Pulsed Laser Deposition (PLD), já o GaN é-nos dado por um grupo de investigação de Lausanne e outro do RPI. Para o ZnO é feita uma série de deposição para estudar as suas propriedades óticas e físicas com a variação da pressão de oxigénio. Para o GaN são estudados dois tipos de contactos metálicos: Alumínio e Níquel/Ouro. Para o p-type GaN foi necessário fazer RTA para a ativação de dopagem de Mg. A caraterização desses materiais consiste em fazer: caraterização I-V para estudar as suas resistividades e posteriormente as suas densidades eletrónicas; difração de raios-X (XRD) para verificar a estrutura do material que temos nas amostras e para compararmos com a literatura; imagem de SEM para comparar a superfícies de cada amostra; Transmitância Óptica para estudar as propriedades óticas e os seus hiatos. Para fazer as medidas I-V são feitos contactos nas amostras através de Evaporação Térmica. Para GaN usamos RTA para retirar a barreira de Schottky existente. Diferentes metais são escolhidos para se obterem bons contactos ohmicos no ZnO e no GaN Os díodos p-n são produzidos através da deposição de n-ZnO sobre p-GaN usando PLD. Para a análise dos díodos, fazemos medidas I-V e analisamos os seus fatores de idealidade, corrente de fuga e resistências em série.
Díodo, Óxido de Zinco, Nitreto de Gálio, PLD, Resistividade, Densidade Electrónica

Junho 7, 2013, 16:0

Publicação

Obra sujeita a Direitos de Autor

Orientação

ORIENTADOR

Reinhard Horst Schwarz

Departamento de Física (DF)

Professor Associado