Dissertação

MgO MTJ sensors in Wheatstone bridge for magnetometer devices EVALUATED

Nos últimos vinte anos, fez se um esforço enorme para perceber o magnetismo em filmes ultrafinos. A motivação por detrás da pesquisa continua nesta área prende-se nas inúmeras aplicações de sensores magneto resistivos, tais como, sistemas de navigação, cabeças de leitura para discos rígidos, deteção biomolecular, entre outras. Para este propósito, confiamos em diversas tecnicas de fabricação, como por exemplo, litografia, sputtering e sistemas de ion beam. Até 1988, a pesquisa a nível de propriedades magnéticas estava restrita à melhoria do momento magnético e à anisotropia perpendicular. Em 1991, a descoberta do efeito de magneto resistência gigante mudou o foco de pesquisa para o fenomeno de magnetotransporte. Esta tendência foi acelerada pela descoberta pela magnetoresistência de efeito de túnel, sete anos depois. Uma nova área da ciência e tecnologia emerge: electrónica de spins. Um sensor consiste em duas camadas ferromagnéticas separadas por uma camada não magnetica, um isolador. No caso dos elementos sensíveis ao ângulo, uma camada ferromagnética está presa à sua direção de magnetização, enquanto que a segunda é livre de seguir qualquer direção de um campo externo no plano. O objectivo desta tese é de fabricar uma ponte de Wheatstone atravês de series de junções de efeito de túnel com resposta linear sensível a um campo magnético externo
Ponte de Wheatstone, sensores magnetoresistivos, resposta Linear

Novembro 25, 2010, 11:0

Documentos da dissertação ainda não disponíveis publicamente

Orientação

ORIENTADOR

Paulo Jorge Peixeiro de Freitas

Departamento de Física (DF)

Professor Catedrático