Dissertação

Estudo da actividade óptica dos semicondutores dopados por ionoluminescência EVALUATED

Neste trabalho foram estudadas amostras de AlxGa1-xN, com diferentes fracções molares de AlN, e uma amostra de GaN implantadas com praseodímio com energia de 150 keV e fluência de 2.5x1014 cm-2. As amostras foram crescidas por halide vapour phase epitaxy utilizando um substrato de safira (001). O objectivo principal é atingir a actividade óptica do ião Pr implantado em AlGaN. As propriedades estruturais foram estudadas utilizando duas técnicas distintas, espectrometria de retrodispersão de Rutherford/canalização iónica e difracção de raio-x de alta resolução. Após a implantação do ião terra rara, observou-se a expansão do parâmetro de rede c devido ao dano causado pela implantação iónica. O tratamento térmico realizado a 1100 0C permitiu a recuperação parcial da rede cristalina. O estudo da localização do ião implantado através de canalização iónica permite concluir que a maioria dos iões se encontra em posições substitucionais do Ga (Al). A actividade óptica, após implantação, é comprovada através da técnica de luminescência induzida por feixe de iões (ionoluminescência) de H+. A emissão mais intensa é obtida para a transição 3P0-3F2 a 652-659 nm (vermelho) proveniente de transições internas da camada 4f2 do ião Pr3+.
AlGaN; Terra rara; Implantação; Espectrometria de retrodispersão de Rutherford/ canalização iónica; Difracção de Raio-X; Ionoluminescência.

Novembro 22, 2010, 14:30

Publicação

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Orientação

ORIENTADOR

Horácio João Matos Fernandes

Departamento de Física (DF)

Professor Auxiliar