Sumários
Aula Teórica 10
24 março 2014, 08:00 • Carlos Alberto Ferreira Fernandes
Junção pn de Silício. Influência da geração e recombinação. Regime variável incremental na junção pn. Condutância incremental. Circuito de aplicação: variação das componentes contínua e variável da tensão no díodo em função da variação da tensão de entrada.
T10
24 março 2014, 08:00 • Jorge Manuel Torres Pereira
Díodo de junção: regime dinâmico. Regime quase-estacionário. Regime incremental: condutância incremental, capacidade de transição e de difusão. Regime de comutação.
Lab 2
21 março 2014, 08:00 • João Paulo
Realização do trabalho "Díodo de junção semicondutor - regime dinâmico".
Aula Teórica 9
20 março 2014, 12:30 • Carlos Alberto Ferreira Fernandes
Junção pn com polarização constante. Característica estacionária corrente-tensão. Zonas de funcionamento. Disrupção. Variações com a temperatura. Cálculo do ponto de funcionamento em repouso.
T9
20 março 2014, 12:30 • Jorge Manuel Torres Pereira
Dedução da caraterística I(U). Variação com a temperatura. Díodo de Silício. Potência máxima dum díodo. Disrupção: avalanche e Zener.