T25
8 junho 2010, 12:00 • Augusto Moita de Deus
Taxa de arrefecimento crítica, em arrefecimento contínuo, para a formação de:
-100% de martensite
-100% perlite em aços eutectoides.
Tratamentos térmicos. Objectivo: obtenção de materiais com resistência mecânica (ou: dureza) e/ou ductilidade especificada.
Recozimentos: discussão sumária dos vários tipos de recozimento
Em geral envolvem o tratamento de peças a temperatura relativamente elevada, durante tempos relativamente longos
Têmperas: discussão sumária
Em geral envolvem arrefecimentos muito rápidos.
Exemplos de tratamentos térmicos de aços para os quais intervêm os diagramas TTT-TI: têmpera (têmpera martensitica), têmpera + revenido, martêmpera, martêmpera + revenido , austêmpera.
Revenido: objectivo; alterações ocorridas na martensite durante o revenido.
Atenção: em inglês revenido é "tempering" e têmpera é "quenching".
Exemplos de tratamentos térmicos de aços para os quais intervêm os diagramas TTT-AC: têmpera (por exº arrefecimento em água), normalização (por exº arrefecimento ao ar), recozimento completo (por exº arrefecimento em forno).
Propriedades eléctricas. Materiais semicondutores
Lei de Ohm. Resistividade eléctrica, condutividade eléctrica. Valores típicos da condutividade eléctrica de condutores (metais), semicondutores e isolantes (cerâmicos, polímeros).
Trata-se de uma propriedade física que é das que mais variam em termos de ordem de grandeza, de material (por exº metal) para material (por exº polímero).
Modelo de bandas de energia. Banda de valência, banda de condução: condutores, isolantes.
Conceito de hiato (gap) de energia.
Semicondutores: hiato relativamente "estreito" permite a promoção (termicamente activada) espontânea de electrões da banda de valência para a banda de condução.
Buracos (não confundir o termo "buracos" com quaisquer poros ou qualquer outro tipo de ausência extensiva de matéria; trata-se meramente da "ausência de um electrão"; essa ausência acaba por se comportar como uma partícula de carga positiva).
Semicondutores puros ou intrínsecos (por exº, silício ou germânio).
Semicondutores extrínsecos (ou dopados).
Impurezas doadoras (por exemplo, átomos de P no Si) dão origem a um semicondutor de tipo n. Impurezas aceitadoras (por exemplo, átomos de B no Si) dão origem a um semicondutor de tipo p.
Referências para estudo:
Smith: 507-514, 185-190, 196-202, 207-211 . Callister: 335-347, 388-390, 665-673, 679-685 .