Sumários

Lab 3

24 abril 2015, 08:00 João Paulo

Transistor Bipolar de Junções: regime estacionário.


T17

23 abril 2015, 12:30 Jorge Manuel Torres Pereira

O canal no MOS-FET: modelo das bandas. Tensão de limiar. Relação ID (UDS,UGS): saturação e não saturação. Análise das características ID (UDS)UGS=Cte e de ID (UGS)UDS=Cte. Efeito da modulação do canal nas características ID (UDS)UGS=Cte.


Aula T17

23 abril 2015, 12:30 Carlos Alberto Ferreira Fernandes

MOSFET de depleção e de reforço. Definição da tensão de limiar. Determinação do PFR. Influência dos elementos do circuito na zona de funcionamento do MOSFET. Efeito de modulação do comprimento do canal.


PA2_4

22 abril 2015, 09:30 Jorge Manuel Torres Pereira

Resolução de problemas envolvendo o MOS-FET.


Lab 3

22 abril 2015, 09:30 João Paulo

Transistor Bipolar de Junções: regime estacionário.