Notas do 1º teste

30 novembro 2018, 22:06 • Pedro Rafael Bonifacio Vitor

A revisão de provas do 1º Teste realiza-se na próxima terça-feira dia 4 de dezembro pelas 15:00 horas nos laboratórios de eletrónica.

1º Teste de Electrónica I - Inscrição no teste, matéria para o teste e problemas resolvidos de exames e da bibliografia

31 outubro 2018, 13:02 • Pedro Rafael Bonifacio Vitor

INSCRIÇÃO PARA REALIZAÇÃO DO 1º TESTE

Para a realização do primeiro teste de Electrónica I no próximo dia 7 de novembro (quarta-feira) às 20:00 horas é obrigatória a inscrição na página do Fenix, que decorrerá até às 18:00 horas do dia 6 de novembro (terça-feira).

• Capítulo 1 - MOS Analógico
  
• Capítulo 2 - MOS Digital
  
• Capítulo 3 - BJT Analógico
  

Da bibliografia principal aconselhada foram dados os seguintes capítulos, sendo assinaladas as páginas principais desses capítulos:

Foram colocados na página, na secção "Problemas resolvidos", os problemas resolvidos do livro "Circuitos com transístores bipolares e MOS" de Manuel de Medeiros Silva (capítulos 1-6 e 8) e do livro "Introdução aos Circuitos Eléctricos e Electrónicos" de Manuel de Medeiros Silva (capítulos 3 e 4).

Foram colocados na página, na secção "Exames e testes de anos anteriores" alguns exames e testes de anos anteriores, com resolução.

Na secção "Teóricas", junto ao capítulo 2 ("MOS Digital") foi incluído um ficheiro com exemplos de cálculo de tempos de propagação de inversores (1) NMOS com carga de reforço, (2) NMOS com carga de depleção e (3) CMOS.

Capítulo 1 - MOS Analógico e Capítulo 2 - MOS Digital - Documentos de apoio às aulas teóricas

29 setembro 2018, 00:26 • Pedro Rafael Bonifacio Vitor

Estão disponíveis na secção "Teóricas" o documento de apoio às aulas teóricas relacionado com o capítulo 1 - MOS Analógico.

Informações relativas ao 1º laboratório

28 setembro 2018, 10:23 • Pedro Rafael Bonifacio Vitor

De acordo com as fórmulas das aulas teóricas se os transístores forem de enriquecimento o Vt é positivo em ambos os casos (n ou p). Assim a inequação para o transístor n será vgs>Vt e para o transístor p vsg>Vt sendo Vt positivo em ambos. De realçar que transístor de enriquecimento significa que não tem corrente para vgs=0 (n) ou vsg=0 (p).

Contudo o programa LTspice utiliza uma definição geral e igual para todos os transístores (n ou p), em que a corrente id é de entrada no dreno e as tensões vgs e vds são definidas da mesma forma para ambos os transístores. Neste programa as correntes id nos transístores n são positivas e nos transístores p são negativas, o mesmo acontecendo para as tensões vgs e vds (positivas no n e negativas no p). Neste programa os parâmetros têm que ser coerentes com as fórmulas pelo que para os transístores p o sinal do Vt deverá ser trocado.

Em conclusão no 1º laboratório são utilizados dois transístores de enriquecimento, um de canal n e outro de canal p, pelo que:

   1.       Para os cálculos teóricos utilizando as fórmulas deverão considerar Vt=1.9V para o transístor n e Vt=1.7V para o transístor p;

   2.       Para o programa LTspice deverão considerar Vt=1.9V para o transístor n e Vt=–1.7V para o transístor p, tal como indicado no guia.

Informação relativa às inscrições nos laboratórios

20 setembro 2018, 00:05 • Pedro Rafael Bonifacio Vitor

As inscrições nos laboratórios ainda estão a decorrer durante esta semana, verificando-se ainda duas vagas no turno de sexta-feira das 15:00 às 17:00 na sala LPT.