Sumários
Aula T17
30 abril 2010, 08:00 • Jorge Manuel Torres Pereira
MOS-FET: regime dinâmico. Modelo incremental para baixas frequências. Determinação dos parâmetros incrementais. Efeitos capacitivos e circuito incremental para médias e altas frequências. Análise do circuito inversor com carga passiva e carga activa (CMOS). Estudo de um circuito de aplicação envolvendo o MOS-FET: determinação do PFR e análise da resposta a baixa frequência.
L07_3B
30 abril 2010, 08:00 • Luís Filipe Soldado Granadeiro Rosado
Laboratório 3 - Transistor Bipolar de Junções (Regime Estacionário).
L06_3B
28 abril 2010, 14:00 • Luís Filipe Soldado Granadeiro Rosado
Laboratório 3 - Transistor Bipolar de Junções (Regime Estacionário).
Aula T16
28 abril 2010, 09:30 • Jorge Manuel Torres Pereira
Dedução da relação ID(UDS,UGS). Análise das características de entrada e saída. Efeito da modulação do canal. Efeito de corpo e sua influência na tensão de limiar. Efeito da temperatura. MOS-FET de canal curto: análise das características na saturação e comparação com as relações obtidas para o dispositivo de canal longo.