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Dissertação

Otimization of CoFeB-AIOx Thin Films For Integration In Advanced Magnetoresistive Devices EVALUATED

Detalhes: A investigação apresentada neste trabalho tem como foco principal o desenvolvimento e otimização de estruturas de junções de efeito túnel. As junções de efeito túnel produzidas neste trabalho possuem barreiras de AlOx obtidas por Oxidação Natural. Verifica-se que a espessura do alumínio é um fator determinante para as propriedades das estruturas produzidas por este método. Mostra-se que é possível obter valores de TMR de 20 % com um RxA de 180 Ω.µm2. Foram produzidas 2 séries de amostras com electrodos diferentes, uma série com CoFeB e outra de CoFe. Estas séries são comparadas e a série de CoFeB mostra ser capaz de obter resultados melhores para as condições estudadas. Um estudo que determina o número de camadas magnéticas mortas revela a importância do boro. Camadas magnéticas mortas na ordem dos 2 Å foram medidas para a interface de CoFeB/AlOx e 6Å para a interface CoFe/AlOx. A sua variação com a temperatura também é discutida. Um estudo da influência da camada de semente no sistema de MnIr/CoFe permitiu obter valores de polarização de câmbio de 310 Oe e coercividade de 19 Oe.
Keywords: barreira AlOx, Junções de Efeito de Túnel, Camadas Magnéticas Mortas, Polarização de câmbio MnIr/CoFe, Oxidação Natural

Discussão: setembro 19, 2014, 11:0