Dissertação

Optimization of the CVD conditions for the growth of atomically thin MoSe2 as photoresponsive material EVALUATED

Neste trabalho foi levada a cabo a otimização de um sistema de deposição química de vapores em pressão atmosférica por forma a crescer MoSe2 monoatómico, um proeminente semiconductor da família dos dicalcogenetos de metais de transição bidimensionais. O crescimento seguiu a chamada “via dos dois-pós”, em que ambos os precursores (o metal de transição e o calcogeneto) são fornecidos sob a forma de pó. Vários parâmetros de deposição foram investigados e uma caracterização extensiva das amostras foi levada a cabo (espectroscopia Raman, fotoluminescência, difração de raio-X, espectroscopia fotoelectronica de raio-X e microscopia de força atómica). Como resultado, obteve-se um procedimento experimental confiável que permite o crescimento de filmes de MoSe2 monoatómico com um tamanho lateral de 1cm2. Adicionalmente, as amostras produzidas foram utilizadas como material fotoactivo em fotodetectores de teste. Estes foram desenhados com uma arquitetura adequada e fabricados em sala limpa com equipamento de estado da arte. A caracterização elétrica dos mesmo permitiu tirar conclusões acerca das propriedades óticas de MoSe2 bidimensional em termos de fotoresposta e fotocondutividade.
dicalcogenetos de metais de transição, MoSe2, deposição química de vapores, materiais 2D, fotodetectores.

Novembro 7, 2019, 11:0

Publicação

Obra sujeita a Direitos de Autor

Orientação

ORIENTADOR

Andrea Capasso

INL

Investigador Principal

ORIENTADOR

Susana Isabel Pinheiro Cardoso de Freitas

Departamento de Física (DF)

Professor Associado