Dissertação
Impact of emitter dopant gradient on amorphous/crystalline silicon HIT cell performance EVALUATED
As células HIT consistem numa camada muito fina de a-Si:H intrínseco entre a camada de a-Si:H tipo p e o substrato de c-Si tipo n. O emissor é composto por uma camada muito fina de silício amorfo intrínseco coberta por uma camada de silício amorfo tipo p. A zona de absorção óptica é composta pela bolacha de silício cristalino tipo n e a camada BSF é constituída por um filme fino de a-Si:H intrínseco coberto por uma camada de silício amorfo tipo n. O ITO em ambas as faces da célula e actua simultâneamente como camada anti-reflectora e como óxido transparente e condutor para aumentar a recolha de portadores. O objectivo desta tese é investigar a influência de alguns processos de fabrico de células na passivação, na degradação e no desempenho da célula solar. As células são fabricadas usando o método de deposição de PECVD; a célula padrão é fabricada sem gradiente de concentração na camada p enquanto na célula optimizada é introduzida na sua estrutura uma camada p com gradiente. A passivação é caracterizada por medidas de tempo de vida dos portadores fotogerados. Após a finalização do processo de fabrico as células obtidas são recozidas e caracterizadas para avaliar a sua eficiência e desempenho global sendo feita a comparação entre as células com e sem gradiente. As células são então optimizadas introduzindo um material que melhora a sua passivação. Os resultados provam que a presença de uma camada emissora com gradiente é benéfica para célula solar de heterojunção a-Si:H/c-Si
outubro 24, 2014, 15:0
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