Dissertação
Radiation Sensors Based on GaN Microwires EVALUATED
Microfios de GaN, crescidos por deposição de organometálicos em fase de vapor por processo químico (MOCVD), com diâmetros entre 1 e 2 µm, foram usados para desenvolver sensores de radiação através da deposição de contactos metálicos nas suas extremidades por fotolitografia. Os parâmetros chave para analisar são o ganho, o tempo de resposta e o tempo de decaimento dos sensores. Como o GaN tem um hiato energético de 3.4 eV, espera-se um ganho baixo para radiação comprimentos de onda superiores a 365 nm e um ganho alto para radiação mais energética. Neste sentido, o comportamento da fotocorrente foi estudada sobre iluminação vísivel e ultravioleta e sobre irradiação com protões. Os dispositivos fabricados demonstraram deteção de luz ultravioleta e tempos de decaimento inferiores a 10 segundos foram obtidos. No entanto, o ganho obtido para a fotocorrente foi baixo (<20%). A irradiação com protões causou uma significante degradação dos dispositivos mas os resultados confirmaram o seu potencial como detector de protões. Comparativamente aos resultados obtidos com excitação ultravioleta, valores semelhantes para o tempo de decaimento e superiores para o ganho foram obtidos. Medidas de fotocondutividade após a irradiação revelaram, em geral, uma melhoria nas capacidades de deteção de luz ultravioleta por parte dos sensores. Os factores de ganho aumentaram para cerca de duas vezes o valor obtido antes da irradiação e alguma mitigaçao da fotocorrente persistente foi observada. Os resultados indicam a possibilidade de aplicar microfios de GaN não só em detectores de radiação ultravioleta, mas também em detectores de partículas.
novembro 2, 2017, 9:0
Publicação
Obra sujeita a Direitos de Autor
Orientação
ORIENTADOR
Susana Isabel Pinheiro Cardoso de Freitas
Departamento de Física (DF)
Professor Associado
