Dissertação

Optimization of magnetic tunnel junction linear response for sensor applications : Simulation and experimental results Simulation and experimental results EVALUATED

A motivação que nos leva a fazer investigação em sensores magnetoresistivos está nas suas inúmeras aplicações. As aplicações destes sensores são, entre outras, cabeças de leitura para discos rígidos, sensores biomoleculares e técnicas de diagnóstico através de mapeamento do cérebro. A necessidade crescente de detectar campos cada vez mais fracos e portanto de ter sensibilidades cada vez mais altas é a motivação por detrás da investigação em junções de efeito de túnel. De facto, por causa dos seus elevados valores de TMR à temperatura ambiente, há um interesse emergente nos dispositivos de efeito de túnel magnetoresistivos. Esta tese concentra-se na optimização da resposta linear de junções de efeito de túnel para aplicações em sensores. Para entender melhor as suas respostas, uma simples simulação foi feita de forma a prever o comportamento das junções e guiar os estudos experimentais. Dois materiais diferentes foram estudados para a barreira, bem como diferentes espessuras da camada livre ferromagnética. Uma investigação, sobre a influência da forma do pilar, no campo coercitivo e na sensibilidade também foi realizada. Finalmente, uma análise do efeito da temperatura de aquecimento na sensibilidade e valores de TMR, foi realizada.
Junções magnéticas de efeito de túnel, sensores magnetoresistivos, resposta linear, sensibilidade, campo coercivo

Novembro 6, 2009, 15:0

Documentos da dissertação ainda não disponíveis publicamente

Orientação

ORIENTADOR

Susana Isabel Pinheiro Cardoso de Freitas

Departamento de Física (DF)

Professor Auxiliar Convidado