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Dissertação

Voltage references for IoT sensor nodes integrated circuits EVALUATED

Detalhes: O principal objetivo deste trabalho é projetar um circuito gerador de tensão de referência, sem resistências de ultra-baixo consumo para aplicações em nós de sensores sem fios de Internet of Things, numa tecnologia Complementary Metal Oxide Semiconductor 65 nm, para operar numa gama de temperaturas de -40 ºC a 80 ºC, mantendo um bom comportamento com as variações de processo, tensão de alimentação e temperatura. O circuito proposto é uma variante da topologia Two-transistors. O processo de projeto iniciou-se com a sua simulação através de um método gráfico. Posteriormente, foram acrescentados componentes adicionais essenciais ao fabrico e avaliado o impacto dos mesmos na funcionalidade do circuito. Além disso, desenhou-se o layout final, ocupando uma área de 0.015 mm^2, e efectuaram-se simulações com os parasitas extraídos. Obtendo os seguintes resultados, um Temperature Coefficient de 89 ppm/ºC, um Line Sensitivity de 1.89 % de 1 V a 2.5 V, um Power Supply Rejection Ratio de -33.72 dB a 100 Hz, e produz uma tensão de saída de 579 ± 14 mV à temperatura nominal de 27 ºC.
Keywords: Gerador de Tensão de Referência, CMOS, Ultra-baixo Consumo, Internet das Coisas, Sensores de redes sem fios, 2T

Discussão: dezembro 12, 2024, 15:0

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