Dissertação

Charge Pump Negativo na Tecnologia FD-SOI de 22nm EVALUATED

Nesta tese é proposta a realização de um charge pump inversor. Com a evolução das tecnologias de fabricação de circuitos integrados para Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI), o circuito em estudo pretende ser um meio para explorar as possibilidades desta tecnologia. Particularmente neste trabalho, o circuito foi implementado na tecnologia 22FDXTM da GLOBAL FOUNDRIES. Esta permite um ajuste dinâmico de Vt através de Reverse Body Biasing (RBB) e Forward Body Biasing (FBB), ou seja, ajustando a tensão do substrato do transístor até 1,8 V e -1,8 V, respectivamente se este é do tipo n ou p. Foi desenvolvido assim, um circuito charge pump inversor com o intuito de fornecer uma tensão negativa para polarização do substrato de circuitos implementados na mesma tecnologia. O inversor desenvolvido tem uma frequência de operação de 1Mhz e os seus condensadores são integrados no circuito sem a necessidade de serem adicionados componentes discretos externamente.
Charge Pump; Inversor; FD-SOI; RBB; FBB;

Novembro 8, 2018, 15:0

Documentos da dissertação ainda não disponíveis publicamente

Orientação

ORIENTADOR

Marcelino Bicho dos Santos

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores (DEEC)

Professor Associado