Dissertação

Power Amplifier in SiGe technology for 60GHz Systems EVALUATED

Nos últimos anos tem-se testemunhado um enorme crescimento das comunicações sem fios, motivado pela procura e pelos avanços da tecnologia. Levando a um aumento da procura por maiores velocidades de transmissão e larguras de banda, criando um grande interesse na banda dos 60 GHz. Esta banda tem aproximadamente uma largura de 9 GHz, e é não licenciada, permitindo grandes velocidades de transmissão de dados. Nesta banda existe ainda uma grande atenuação devido ao oxigénio o que faz com que seja adequada a transmissões de curta distância, uma vez que os sinais de rádio não se conseguem propagar mais que uma centena de metros. Os 60 GHz tem ainda a vantagem de ter um comprimento de onda relativamente pequeno, 5mm em espaço livre, permitindo assim a integração de elementos passivos. O desenvolvimento das tecnologias de CMOS e SiGe permitiram que estas começassem a ser usadas no projecto de sistemas integrados de microondas. No entanto, estas tecnologias têm ainda algumas limitações o que faz com que o desenvolvimento de um amplificador de potência a altas frequências seja um dos principais desafios no projecto de um emissor-receptor. O objectivo principal deste trabalho consiste em desenvolver um amplificador de potência em tecnologia SiGe BiCMOS 0.25 µm para sistemas a 60 GHz, onde se consiga obter a melhor relação possível entre a potência de saída do amplificador, a linearidade e a eficiência. Outro dos objectivos é aumentar potência de saída usando técnicas de combinação de potência sem comprometer a eficiência do amplificador de potência.
Amplificador de Potência, Silício-germânio, Transístor Bipolar de Heterojunção, Classe-A, Combinador de Potência

Novembro 25, 2014, 9:30

Publicação

Obra sujeita a Direitos de Autor

Orientação

ORIENTADOR

João Manuel Torres Caldinhas Simões Vaz

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores (DEEC)

Professor Auxiliar