Dissertação

Monolithic RF Class-E power amplifier on CMOS technologies for IEEE 802.11b/g applications EVALUATED

Com o avanço da tecnologia CMOS, cada vez mais a tendência é projectar transmissores usando esta tecnologia com o objectivo de obter uma integração total do sistema a reduzido custo. O amplificador de potência, responsável por entregar potência à antena, sendo um dos principais blocos do sistema de comunicação sem fios não é excepção no que diz respeito ao fabrico em CMOS. Assim, neste trabalho apresenta-se um estudo aprofundado sobre o amplificador de potência em classe-E que é uma das configurações que apresenta maior rendimento e possibilidade de integração tornando-o um dos fortes candidatos a uma implementação prática. O objectivo deste trabalho é fornecer o estudo que permita o desenho de um amplificador de potência classe-E em CMOS para aplicações IEEE 802.11b/g. Será usada a tecnologia UMC CMOS 0,18um para conceber um protótipo do amplificador. A principal meta a alcançar é obter um circuito com alto rendimento para 2.4 GHz e potência de saída superior a 17 dBm. Para o desenho dos vários projetos são utilizados a topologia common-source e também cascode com e sem drive. O driver projetado é um amplificador de potência em classe-F sintonizado para a primeira e terceira harmónicas.
Rádio Frequência, circuitos integrados, amplificadores de potência, comutados, CMOS, classe-E

Novembro 26, 2010, 14:0

Publicação

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Orientação

ORIENTADOR

João Manuel Torres Caldinhas Simões Vaz

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores (DEEC)

Professor Auxiliar